器件類型靜電破壞電壓(V) 器件類型 靜電破壞電壓(V)
VMoS 30～1800OP-AMP190～2500
M0SFET 100～200JEFT 140～1000
GaAsFET 100～300SCL680～1000
PROM 100STTL300～2500
CMoS250～2000DTL380～7000
HMOS50～500肖特基二極管300～3000
E／DMOS200～1000雙極型晶體管380～7000
ECL 300～2500石英壓電晶體＜10000
從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環境中人活動所產生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。
