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SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

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品牌: 松下
型號: 0.0004-0.00045Microhm-m
規格: 0.0004-0.00045Microhm-m
單價: 面議
起訂: 1 套
供貨總量: 1 套
發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
所在地: 北京
有效期至: 長期有效
最后更新: 2020-09-19 13:53
詢價
公司基本資料信息
 
 
產品詳細說明

SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

我公司擁有多名日本專家、博士工程師及先進經營管理團隊,擁有專業從事碳化硅涂層以及對石墨產品進行高溫純化除雜技術。公司產品及技術廣泛應用于半導體行業,LED行業,航天行業,化工行業,光伏行業,包裝行業,耐腐蝕行業、冶金行業等領域。

 

   公司通過引進國外最先進的CVD法碳化硅涂層及高溫純化裝置與技術,根據客戶需要為不同形狀,不同結構和大小的石墨件純化除雜,純化后的石墨雜質可降至小于5PPM,并采用高溫化學氣相沉積法沉積指定厚度的碳化硅涂層。

 

   相比以往的工藝,CVD法生產的碳化硅晶體結構致密,晶格排列整齊,與沉底材料結合更緊密等優勢。具有耐高溫,耐磨損,耐腐蝕,易導熱的特點,憑借這些涂層,我們的產品被廣泛應用于制作流化床和熱氫化的反應器部件,CZ直拉單晶爐的導流筒部件,以及硅外延和GaN外延的托盤。

 

產品指標:

ü 材料:進口等靜壓高純石墨

ü 純度:小于5ppm

ü SIC涂層厚度:120µm±30µm(涂層厚度可根據客戶要求定制)

ü 涂層表面粗糙度:6-8µm

ü 涂層后基座電阻率:0.0004-0.00045Microhm-m

ü 高均勻度和優異的熱傳導性

ü 耐電漿轟擊

ü 極佳均溫性

ü 高耐腐蝕性和穩定性

ü 理想的電阻特性

ü 使用壽命長

 

應用領域:

ü LED芯片產業MOCVD外延片承載石墨托盤

 
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